1200V耐圧の「SiC SBD」を追加=東芝デバイス&ストレージ〔BW〕
【ビジネスワイヤ】東芝デバイス&ストレージは、産業用電力機器の高効率化に貢献する第3世代「シリコンカーバイド(SiC)ショットキーバリアダイオード(SBD)」に、1200ボルトの高電圧に耐える「TRSxxx120Hxシリーズ」を追加し、出荷を開始した。新シリーズは、改良型ジャンクションバリアショットキー(JBS)構造と新規ショットキーメタルを採用することで、順方向電圧、総電荷量、逆電流を抑制。大容量の機器の電力損失を大幅に低減する。〈BIZW〉
【注】この記事はビジネスワイヤ提供。原文はwww.businesswire.comへ。
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